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Células solares ultrafinas de Cu (In, Ga) Se2: passivação de interfaces

Authors: MA Curado, JMV Cunha, HV Alberto, RC Vilão, AFA Simões, PA Fernandes, JP Teixeira, J Leitão, JM Gil, PMP Salomé

Ref.: CIES2020-XVII Congresso Ibérico e XIII Congresso Ibero-americano de Energia Solar, 357-363 (2020)

Abstract: A comunidade de Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) tem focado grande parte da sua investigação no estudo e melhoramento das propriedades cristalinas do CIGS.A última estratégia utilizada, que tem permitido aumentar o valor de eficiência das células solares, passa pela implementação de elementos alcalinos através de tratamentos pós-deposição (PDT). Para se atingir valores de conversão de eficiência competitivos é necessário melhorar as interfaces do CIGS. Neste estudo, focamo-nos no estudo das propriedades morfológicas, estruturais e optoelectrónicas entre o CIGS e a alumina (Al2O3), que tem o potencial de ser usada como camada passivadora frontal. Pode-se concluir que as propriedades morfológicas e estruturais não são alteradas devido à deposição do Al2O3. O Al2O3 não resiste ao banho químico usado para a deposição do CdS. O Al2O3 apresenta um valor de densidade de defeitos baixos, uma propriedade desejada destas camadas. Este estudo demonstra a potencialidade de se utilizar a Al2O3, para camadas buffer alternativas, que não usem processos químicos durante a sua deposição.

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